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MMBZ27VAL产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
- BC337-16,126 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
- SPC5601DF1MLH4 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- LD6915LX/2818PH - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 稳压器 - 线性
- TJA1053T/N1,518 - 集成电路(IC) > 接口 > 驱动器,接收器,收发器
- MRF6S19200HR3 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- BUK7628-55A,118 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- MPC8547ECVTAQGB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MC34674CEPR2 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电池充电器
- MSC8122TMP6400V - 集成电路(IC) > 嵌入式 > DSP(数字信号处理器)
- MRF6S18100NBR1 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- OM13097UL - 开发板,套件,编程器 > 评估板 > 嵌入式 MCU、DSP 评估板
- TEA6811V/C03,118 - 射频和无线 > 射频接收器
- 74LVCH162245ADL,11 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- TWR-S08LH64 - 开发板,套件,编程器 > 评估板 > 嵌入式 MCU、DSP 评估板
- 74HC574DB,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 触发器
- T4081NSN7TTB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- PEMI6QFN/LP,132 - 滤波器 > EMI/RFI 滤波器(LC,RC 网络)
- BZA856AVL,115 - 未分类 > 未分类
- PHT11N06LT,135 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- PESD3V3L2BT,215 - 未分类 > 未分类



MMBZ27VAL - 低电容单向双ESD保护二极管
MMBZ27VAL是NXP恩智浦公司的一款24W/40W TVS二极管产品,MMBZ27VAL是低电容单向双ESD保护二极管,本站介绍了MMBZ27VAL的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与MMBZ27VAL相关的NXP元器件型号供参考。
MMBZ27VAL - 低电容单向双ESD保护二极管 - 24W/40W TVS二极管 - 瞬变电压抑制器(TVS)二极管 - 恩智浦
产品描述
单向双静电放电(ESD)保护二极管采用共阳极配置,配以SOT23 (TO-236AB)小型表面贴装设备(SMD)塑料封装。该器件可为最多两条信号线提供ESD和瞬态过压保护。
产品特性和优势
- 两条线路的单向ESD保护
- 高达30 kV(接触放电)的ESD保护
- 单条线路的双向ESD保护
- IEC 61000-4-2四级(ESD)
- 低二极管电容:Cd ≤ 280 pF
- IEC 61643-321
- 额定峰值脉冲功率:PPPM = 40 W
- 符合AEC-Q101标准
- 超低漏电流:IRM = 5 nA
产品应用
- 计算机和外设
- 汽车电子控制单元
- 音频和视频设备
- 便携式电子设备
- 手机和附件
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