74LVC2G08提供一个2输入与门功能。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将74LVC2G08用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BZV85-C3V6 - 稳压器二极管
• BUK9Y43-60E - N-channel 60 V, 43 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56
• 74AUP2G132GS - 低功耗双路2输入与非施密特触发器
• BZX884-B3V3 - 稳压器二极管
• 74LVC1G66GF - 双向开关
• 74LVC2G125DC - 双路总线缓冲器/线路驱动器；3态
• PSMN4R3-30BL - N沟道30 V 4.1 m?逻辑电平MOSFET，采用D2PAK封装
• PMN50UPE - 20 V，单P沟道Trench MOSFET
• SCC2691AC1D24 - 通用异步接收器/发送器(UART)
• BUK9C07-65BIT - N沟道TrenchPLUS逻辑电平FET