74LVC1G66是低功耗、低电压硅栅CMOS器件。

74LVC1G66提供一个单刀单掷模拟开关功能。该开关具有两个输入/输出终端（Y和Z）以及一个有源高电平使能输入引脚（E）。E为低电平时，模拟开关会被关断。

使能输入的施密特触发器动作使电路在1.65 V至5.5 V的整个VCC范围内容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 极低导通电阻：
  • 7.5 Ω（典型值）（VCC = 2.7 V时）
  • 6.5 Ω（典型值）（VCC = 3.3 V时）
  • 6 Ω（典型值）（VCC = 5 V时）
• 32 mA的开关电流能力
• 高抗噪性
• CMOS低功耗
• 3.3 V时的TTL接口兼容性
• 锁存性能满足JESD78 I类的要求
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 使能输入可接受最高达5.5 V的电压
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C以及-40 °C至+125 °C

• 74HC02DB - 四路2输入或非门
• TDA8034T - 低功耗智能卡接口
• PBLS4001Y; PBLS4001V - 40 V PNP BISS负载开关
• BUK763R1-60E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PMPB33XP - 20 V，单P沟道Trench MOSFET
• 74AHC541PW - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• BLC8G22LS-450AV - LDMOS功率晶体管
• BZV85-C33 - 稳压器二极管
• PDTC123EM - NPN配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 2.2 kOhm
• BSR56 - N沟道FET