74AUP2G38提供双路2输入与非门，具有开漏输出。该器件的输出为开漏且可以连接到其它开漏输出以实施低电平有效有线OR或高电平有效有线AND功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V的VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78B II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• XC7SH14 - 反相施密特触发器
• PZU5.1B1 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• NX5P1000UK - 逻辑控制型高端电源开关
• PMEG3002AESF - 30 V, 0.2 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier
• 74CBTLV3861PW - 10位总线开关，具有输出使能
• BUK762R6-40E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PESD5Z12 - 低电容单向ESD保护二极管
• PTVS28VS1UR - 400 W瞬态电压抑制器
• PEMD17; PUMD17 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 47 kOhm，R2 = 22 kOhm
• NVT2006BS - 适用于开漏和推挽应用的双向电压电平变换器