74HC4053；74HCT4053是高速硅栅CMOS器件，与HEF4053B针脚兼容。其规格符合JEDEC标准no. 7A。

74HC4053；74HCT4053是三路2通道模拟多路复用器/解复用器，带公共使能输入(E)。每个多路复用器/解复用器都具有两个独立的输入/输出（nY0和nY1）、一个通用输入/输出(nZ)和三个数字选择输入(Sn)。E为低电平时，通过S1至S3选择两个开关之一（低阻抗导通状态）。OE为高电平时，无论S1至S3如何，所有开关都处于高阻抗关断状态。

VCC和GND是适用于数字控制输入（S0至S2以及E）的电源电压针脚。VCC至GND范围对于74HC4053为2.0 V至10.0 V，对于74HCT4053为4.5 V至5.5 V。模拟输入/输出（nY0至nY1以及nZ）可在作为正极限的VCC和作为负极限的VEE之间波动。VCC - VEE不得超过10.0 V。

对于作为数字多路复用器/解复用器的操作，VEE连接到GND（通常为接地）。

• -5 V至+5 V的宽模拟输入电压范围
• 低导通电阻：
  • VCC - VEE = 4.5 V时，80 ?（典型值）
  • VCC - VEE = 6.0 V时，70 ?（典型值）
  • VCC - VEE = 9.0 V时，60 ?（典型值）
• 逻辑电平转换：实现5 V逻辑与±5 V模拟信号的通信
• 典型的“先断后通式”结构
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 模拟多路复用和解复用
• 数字多路复用和解复用
• 信号选通

• PUMD18 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 10 kΩ
• PSMN7R6-100BSE - N沟道100 V 7.6 mΩ标准电平MOSFET，采用D2PAK封装
• 74AUP1GU04GX - 低功耗非缓冲反相器
• 74AHCT157BQ - 四路2输入多路复用器
• 74LVC1G157GF - 单路2输入多路复用器
• BC857XQA series - 45 V, 100 mA PNP general-purpose transistors
• NX3L1T5157GM - 低电阻单刀双掷模拟开关
• PESD24VU1UT - 采用SOT23封装的超低电容ESD保护二极管
• 74HCT390DB - 双路十进制纹波计数器
• TFF11142HN - 适合VSAT应用的低相位噪声本振发生器