74LVC1G53是低功耗低电压的高速硅栅CMOS器件。

74LVC1G53提供一个模拟多路复用器/解复用器，带一个数字选择输入(S)、两个独立输入/输出（Y0，y1）、一个公共输入/输出(Z)和一个低电平有效使能输入(E)。针脚E为高电平时，开关关闭。

选择输入和使能输入处的施密特触发器动作使电路容许整个1.65 V至5.5 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 极低导通电阻：
  • VCC = 2.7 V时，7.5 ?（典型值）
  • VCC = 3.3 V时，6.5 ?（典型值）
  • VCC = 5 V时，6 ?（典型值）
• 32 mA的开关电流能力
• 高抗噪性
• CMOS低功耗
• 3.3 V时的接口兼容性
• 闭锁性能满足JESD 78 I类的要求
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 控制输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• PMEG6020ETP - 高温60 V、2 A肖特基势垒整流二极管
• MF1S5000XDA4 - MIFARE Classic 1K - 适用于快速简单的解决方案开发的主流非接触式智能卡IC
• 74ALVT162827DL - 20位缓冲器/线路驱动器，非反相，具有30 Ohm端接电阻（3态）
• PTVS15VS1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器
• PEMD2; PIMD2; PUMD2 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1?=?22?kΩ，R2?=?22?kΩ
• TDA8020HL - 双IC卡接口
• 74AUP1G86GF - 低功耗2输入异或门
• 74AHC3GU04DP - 反相器
• PUMD20 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 2.2 kOhm
• PBSS5620PA - 20 V，6 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管