74ALVT162827高性能BiCMOS器件结合了低静态和动态功耗以及高速和高输出驱动。其设计用于2.5 V或3.3 V的VCC操作，I/O兼容性达5 V。

74ALVT162827 20位缓冲器提供高性能总线接口缓冲，用于宽数据/地址路径或总线负载奇偶校验。它们具有NOR输出使能（nOE1、nOE2），可实现最大控制灵活性。

74ALVT162827设计为在上拉和下拉输出结构中都具有30 ?串联电阻。这种设计可降低内存地址驱动器、时钟驱动器以及总线接收器/发射器等应用中的噪声。

• 多个VCC和GND针脚可减少开关噪声
• 兼容5 V I/O
• 允许带电插拔
• 3态输出缓冲器
• 输出包括30 Ω的串联电阻，无需外部端接电阻
• 上电3态
• 输出能力：±12 mA
• 闭锁保护超过500 mA，符合Jedec Std 17标准
• ESD保护根据MIL STD 883方法3015超过2000 V，根据机器模型则超过200 V
• 总线保持数据输入无需使用外部上拉电阻来保持未使用的输入

• PUMD3 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1?=?10?kΩ，?R2?=?10?kΩ
• 74CBTLV3384 - 10位总线开关，具有5位输出使能
• 74LVC257AD - 四路2输入多路复用器，带5 V容压输入/输出；3态
• BUK6C2R1-55C - N沟道TrenchMOS中间电平FET
• HEF4528B - 双单稳态多谐振荡器
• BLF7G24L(S)-160P - 功率LDMOS晶体管
• PDTB143XU - 500 mA、50 V PNP配电阻晶体管
• BCM856DS - PNP/PNP匹配双晶体管
• 74LVT16500A - 3.3 V 18位通用总线收发器；3态
• 1PS70SB85 - 肖特基势垒（双）二极管