74ALVT162827高性能BiCMOS器件结合了低静态和动态功耗以及高速和高输出驱动。其设计用于2.5 V或3.3 V的VCC操作，I/O兼容性达5 V。

74ALVT162827 20位缓冲器提供高性能总线接口缓冲，用于宽数据/地址路径或总线负载奇偶校验。它们具有NOR输出使能（nOE1、nOE2），可实现最大控制灵活性。

74ALVT162827设计为在上拉和下拉输出结构中都具有30 ?串联电阻。这种设计可降低内存地址驱动器、时钟驱动器以及总线接收器/发射器等应用中的噪声。

• 多个VCC和GND针脚可减少开关噪声
• 兼容5 V I/O
• 允许带电插拔
• 3态输出缓冲器
• 输出包括30 Ω的串联电阻，无需外部端接电阻
• 上电3态
• 输出能力：±12 mA
• 闭锁保护超过500 mA，符合Jedec Std 17标准
• ESD保护根据MIL STD 883方法3015超过2000 V，根据机器模型则超过200 V
• 总线保持数据输入无需使用外部上拉电阻来保持未使用的输入

• PESD1USB3S - NXP芯片
• PZU2.7DB2 - 双倍齐纳二极管
• 74AVC16245DGG - 16位收发器，具有方向针脚；3.6 V容压；3态
• 74LVCH245ABQ - 八进制总线收发器；3态
• PZU15B3 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• MF1S5000XDA4 - MIFARE Classic 1K - 适用于快速简单的解决方案开发的主流非接触式智能卡IC
• BUK7609-75A - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74ALVC74BQ - 带设置和复位功能的八频D型触发器；正沿触发器
• 74AUP1G04GN - 低功耗反相器
• BLS7G2325L-105 - 功率LDMOS晶体管