74AUP1G86提供单路2输入异或功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• SSL5237TE - 带集成式700 V 10 Ω MOSFET的紧凑型高功率因素可调光LED驱动器(v1)
• 74HC1G14GV - 反相施密特触发器
• LFPAK bipolar transistors - NXP bipolar transistors in LFPAK56 and LFPAK56D - the true power packages for smart efficiency
• BSS138PW - 60 V，360 mA N沟道Trench MOSFET
• HEF4520B - 双路二进制计数器
• PZU18DB2 - 双倍齐纳二极管
• 74HC3G06DP - 三路反相器，带开漏输出
• BLF7G21LS-160P - LDMOS功率晶体管
• PUMH14 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 47 kOhm，R2 = 开路
• NTB0102GT - 双电源转换收发器；自动方向感应；3态