74LVC1G332提供一个3输入或功能。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许将这些器件用作混合3.3 V和5 V应用中的转换器。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。

IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101-C超过1000 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PCAL6408A - 带有中断输出、复位和配置寄存器的低电压、8位I2C总线和SMBus I/O扩展器
• PBRP123YT - PNP 800 mA，40 V BISS RETs；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 10 kOhm
• PSMN057-200B - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• BZT52H-B51 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• BZV55-B75 - 稳压器二极管
• 74AVC1T45GS - 双电源电压电平转换器/收发器；3态
• PDTC124XT - NPN配电阻晶体管；R1 = 22 kOhm，R2 = 47 kOhm
• PCA9574BS - 带有复位和中断的8位I2C总线和SMBus、电平变换、低电压GPIO
• SA604AHR - High performance low power FM IF system
• PMEG2010AEJ - 20 V、1 A极低V_F MEGA肖特基势垒整流二极管，采用SOD323F封装