74AUP2G34提供两个低功耗、低电压的缓冲器。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• IP4064CX8; IP4364CX8; IP4366CX8 - 集成式SIM卡无源滤波器阵列，ESD保护符合IEC 61000-4-2第四级标准
• BAV99W - 高速开关二极管
• BZT52H-B2V4 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• 74HC4017DB - 约翰逊十进制计数器，带10个解码输出
• PMZB600UNE - 20 V，N沟道Trench MOSFET
• TDA8024T - 标准智能卡接口
• PTVS15VS1UR - 400 W瞬态电压抑制器
• BST52 - NPN达林顿晶体管
• PMSS3904 - NPN开关晶体管
• 74LVC3G14DP - 三路反相施密特触发器，带5 V容压输入