74LVC1G58提供多个可配置的函数。输出状态由3位输入的八个模式确定。用户可选择逻辑函数“与”、“或”、“与非”、“或非”、“异或”、反相器和缓冲器。所有输入可连接至VCC或GND。

输入可从3.3 V器件或5 V器件驱动。该特性允许在3.3 V和5 V混合电压环境中使用该器件。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成的损坏。

所有输入（A、B和C）为施密特触发器输入。它们能够将缓慢变化的输入信号转变为清晰的无抖动输出信号。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 与5 V逻辑器件连接的5 V容压输入/输出
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）。
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V。
• ±24 mA输出驱动（VCC = 3.0 V）
• CMOS低功耗
• 锁存性能超过250 mA
• 直接与TTL电平连接
• 输入接受高达5 V的电压
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C。

• 74LVC162245ADL - 16位收发器，具有方向针脚、30 ?串联端接电阻；5 V容压输入/输出；3态
• BUK9508-55B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• BLF7G22LS-160 - 功率LDMOS晶体管
• 74HCT574PW - 八频D型触发器；正沿触发器（三态）
• PCA9555AHF - 带有中断和弱上拉的低电压16位I2C总线I/O端口
• 74AHC30GU12 - 8-input NAND gate
• 74AUP1G885GN - 低功耗双功能门
• 74LVC2G08GF - 双路2输入与门
• PESD6V0L2UU - 低电容单向ESD保护二极管
• PSMN2R5-60PL - N沟道60 V，2.6 m?逻辑电平MOSFET，采用SOT78封装