74AUP3G0434是双路反相器和单路缓冲器。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78B II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74LV595PW - 8位串行输入/串行输出或并行输出移位寄存器；3态
• 74LVC3GU04GT - 三路反相器
• BFT93W - PNP 4 GHz宽频带晶体管
• NZX16A - 单倍齐纳二极管
• 74HCT3G16DC - 三路缓冲器门
• PCA8551 - Automotive 36 × 4 LCD segment driver
• PBRP123YT - PNP 800 mA，40 V BISS RETs；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 10 kOhm
• BLF2425M7LS250P - 功率LDMOS晶体管
• PESD36VS2UT - 低电容单向双ESD保护二极管
• PMDXB600UNE - 20 V，双N沟道Trench MOSFET