74LVC1G08提供一个2输入与功能。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许将这些器件用作混合3.3 V和5 V应用中的转换器。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能≤ 250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PBRP113ZT - PNP 800 mA，40 V BISS RETs；R1 = 1 kOhm，R2 = 10 kOhm
• PZU3.6B2L - 单倍齐纳二极管
• 74AXP1G10 - 低功耗3输入与非门
• CBT16212DGG - 24位总线交换开关，具有12位输出使能
• 74AXP1G58GM - 低功耗可配置多功能门
• BCX56-16 - 60 V，1 A NPN中等功率晶体管
• BLF10H6600P - 功率LDMOS晶体管
• PESD5V0X2UAMB - 超低电容单向双ESD保护二极管
• 74AUP2G02GM - 低功耗双路2输入或非门
• BUK7607-30B - N沟道TrenchMOS标准电平FET