74AXP1G10是单路3输入与非门。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保0.7 V至2.75 V的整个VCC范围内的极低静态和动态功耗。它完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时潜在破坏性回流电流通过该器件。

• 0.7 V至2.75 V的宽电源电压范围
• 低输入电容；CI = 0.5 pF（典型值）
• 低输出电容；CO = 1.0 pF（典型值）
• 低动态功耗；CPD = 2.5 pF，VCC = 1.2 V（典型值）时
• 低静态功耗；ICC = 0.6 μA（85 °C最大 ）
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12A.01（1.1 V至1.3 V）
  • JESD8-11A.01（1.4 V至1.6 V）
  • JESD8-7A（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5A.01（2.3 V至2.7 V）
• ESD保护：
  • HBM ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 2类超过2 kV
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达2.75 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C

• 74AHC123ABQ - 双可再触发单稳态多谐振荡器，带重置
• 74HC4050PW - 十六进制非反相高电平至低电平转换器
• BSS84AKMB - 50 V，单P沟道Trench MOSFET
• BB131 - VHF变容二极管
• 74AHC(T)244 - Octal buffer/line driver; 3-state
• 74HC(T)191 - 可预置同步4位二进制上行/下行计数器
• BZX84-A7V5 - 稳压器二极管
• HEF40175BTT - 四路D型触发器
• BUK7613-100E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PBHV2160Z - 600 V, 0.1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor