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PBRP113ZT - PNP 800 mA，40 V BISS RETs；R1 = 1 kOhm，R2 = 10 kOhm
PBRP113ZT是NXP恩智浦公司的一款RET 600mA/40V 低VCEsat产品，PBRP113ZT是PNP 800 mA，40 V BISS RETs；R1 = 1 kOhm，R2 = 10 kOhm，本站介绍了PBRP113ZT的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与PBRP113ZT相关的NXP元器件型号供参考。
PBRP113ZT - PNP 800 mA，40 V BISS RETs；R1 = 1 kOhm，R2 = 10 kOhm - RET 600mA/40V 低VCEsat - 配备电阻的晶体管(RET） - 恩智浦
产品描述
800 mA PNP低VCEsat突破性小信号(BISS)配电阻晶体管(RET)，采用小型SOT23 (TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
NPN补充产品：PBRN113ZT。
产品特性和优势
- 800 mA重复峰值输出电流
- 低集电极-发射极饱和电压VCEsat
- 高电流增益hFE
- 元器件数量更少
- 内置偏置电阻
- 贴片成本更低
- 电路设计更为简化
- +-10%电阻比容差
产品应用
- 汽车电子和工业领域中的数字应用
- 开关负载
- 中等电流外设驱动器
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