74AUP2G02提供双路2输入或非功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78B II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BZB84-C47 - 双倍齐纳二极管
• KMA215 - 可编程角度传感器（带SAE J2716 SENT）
• PZU16B2 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• IP4264CZ8-10/20/40-TTL - 集成式(U)SIM卡无源滤波器阵列，带ESD保护
• XC7SET14GW - 反相施密特触发器
• SSL210x - Mains LED driver ICs for dimmable LED lighting
• TEA1721DT - 适用于5 W应用、集成功率MOSFET通过高压启动的反激控制器，f~burst = 1270 Hz
• BUK9K13-60E - Dual N-channel 60 V, 12.5 m? logic level MOSFET
• 74AVCH4T245 - 4位双电源转换收发器，带可配置电压转换功能；3态
• PHPT61003NY - 100 V、3A NPN高功率双极性晶体管