74LVC1G06提供反相缓冲器。

输入可以从3.3 V或5 V器件驱动。这些特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用这些器件。

所有输入处的施密特触发器动作使电路能容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

该器件的输出为开漏且可以连接到其它开漏输出以实施低电平有效有线OR或高电平有效有线AND功能。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 额定温度范围为-40 °C至+125 °C

• 74ALVC162836A - 20位寄存驱动器，具有倒相寄存器使能和30 Ω端接电阻（3态）
• HEF4051B - 8通道模拟多路复用器/解复用器
• PESDxL4UF; PESDxL4UG; PESDxL4UW - 低电容单向四倍ESD保护二极管阵列
• BLF184XRG - 功率LDMOS晶体管
• BB202 - 低压变容二极管
• NTAG213F/216F - NFC Forum Type 2 Tag compliant IC with 144/888 bytes user memory and field detection
• 74HC4852PW - 双路4通道模拟多路复用器/解复用器，具有注流效应控制功能
• TEA1733CT - 低压启动的在定频/CCM下工作的反激控制器
• PSMN075-100MSE - N沟道100 V 71 mΩ标准电平MOSFET，采用LFPAK33封装，专为PoE应用而设计
• 74AUP2G79 - 低功耗双频D型触发器；正沿触发器