低电容单向四倍静电放电(ESD)保护二极管阵列采用小型表面贴装设备(SMD)塑料封装，保护最多四条信号线免受ESD和其他瞬态电压导致的损坏。

• 最多4条线路的ESD保护
• 低二极管电容
• 最大峰值脉冲功率：PPP = 30 W
• 低钳位电压：VCL = 12 V
• 超低漏电流：IRM = 5 nA
• 高达20 kV的ESD保护
• IEC 61000-4-2四级(ESD)
• IEC 61000-4-5（浪涌）；IPP = 2.5 A
• 符合AEC-Q101标准

• 计算机和外设
• 通信系统
• 音频和视频设备
• 便携式电子设备
• 手机和附件
• 用户身份识别模块(SIM)卡保护

• 74AHC1G86GW - 2输入异或门
• 74AXP1G57GS - 低功耗可配置多功能门
• SC16IS750IBS - 带有I2C总线/SPI接口、64字节发送和接收FIFO以及IrDA SIR内置式支持的单通道UART
• PBSS4360PAS - 60 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
• PUMH9 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 10?kΩ，R2 = 47?kΩ
• BUK752R3-40E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74HCT14DB - 十六进制反相施密特触发器
• PDTC143XU - NPN配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 10 kΩ
• BZV85 series - 稳压器二极管
• PMEG2020CPAS - 20 V, 2 A low VF dual MEGA Schottky barrier rectifier