74LVC162245A；74LVCH162245A是16位收发器，在发送和接收方向上都具有非反相3态总线兼容输出。 两个发送/接收(nDIR)输入控制方向，两个输出使能(nOE)输入可实现轻松级联。nOE控制输出，因此总线可以得到有效隔离。该器件可用作两个8位收发器或一个16位收发器。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。禁用时，可以向输出施加高达5.5 V的电压。这些特性允许将这些器件用作混合3.3 V和5 V应用中的转换器。

74LVCH162245A数据输入上的总线保持无需使用外部上拉电阻来保持未使用的输入。

高电平和低电平输出级都包括可减少线路噪声的30 Ω串联端接电阻。

• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 1.2至3.6 V的宽电源电压范围
• CMOS低功耗
• Multibyte直通式标准针脚排列架构
• 多个低电感电源和接地针脚，可实现最低噪声和地弹
• 具有TTL电平的直接接口
• 集成式30 Ω端接电阻
• VCC = 0 V时的高阻抗
• 所有数据输入都具有总线保持（仅74LVCH162245A）
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7A（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5A（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-C/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-B超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BUK664R4-55C - N沟道TrenchMOS中间电平FET
• TDF8590TH - 2 X 80 W SE (4 Ω)或1 X 160 W BTL (8 Ω) D类放大器
• PCA9509DP - 电平转换I2C总线/SMBus中继器
• BZT52H-C47 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• PMBT4403 - 40 V, 600 mA, PNP switching transistor
• 74AUP1G157GS - 低功耗2输入多路复用器
• BZA900A-series - 四倍ESD瞬态电压抑制器
• 74ALVC162836A - 20位寄存驱动器，具有倒相寄存器使能和30 Ω端接电阻（3态）
• PBSS4041SPN - 60 V NPN/PNP低V_CEsat (BISS)晶体管
• PMV65XP - 20 V，单P沟道Trench MOSFET