74AUP1G02提供单路2输入或非功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74LVT(H)16374A - 3.3 V 16位边沿触发D型触发器（三态）
• SC26C92C1B - 双通道通用异步接收器/发送器(DUART)
• BLF8G20LS-400P(G)V - 功率LDMOS晶体管
• IP3253CZ8-4-TTL - 集成式4、6和8通道无源EMI滤波器网络，带高电平ESD保护
• 74LVT16501ADGG - 3.3 V LVT 18位通用总线收发器；3态
• BAP64-06 - 硅PIN二极管
• 74AUP3G34DP - 低功耗三路缓冲器
• PZU12B3 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• 74AVC16245DGG - 16位收发器，具有方向针脚；3.6 V容压；3态
• BUK6607-55C - N沟道TrenchMOS逻辑和标准电平FET