74AUP1G02提供单路2输入或非功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• SSL4120T - 集成PFC的谐振电源控制器IC，用于LED照明
• BAT754 series - 肖特基势垒二极管
• 74AXP1T57DC - Dual supply configurable multiple function gate
• BZX384-C15 - 稳压器二极管
• BUK7660-100A - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• BLP8G20S-80P - LDMOS功率晶体管
• NX2020P1 - 30 V，单P沟道Trench MOSFET
• 2N7002CK - 60 V，0.3 A N沟道Trench MOSFET
• PMEG2010EH_EJ_ET - 1 A极低VF MEGA肖特基势垒整流二极管
• PSMN2R2-40PS - N沟道40 V 2.1 m?标准电平MOSFET