
PTVS51VP1UTP技术文档下载:
PTVS51VP1UTP产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- BF245B,112 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
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- ADC0804S050TS/C1,1 - 未分类 > 未分类
- LPC1111FDH20/002,5 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- S32K396EHT1MJBSR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74HCT541DB,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- MMA6855AKGWR2 - 传感器,变送器 > 运动传感器 > 加速计
- BF904R,235 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- MKL26Z64VLH4 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- BAS45AL,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- 74LV367DB,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- MM912H634DM1AE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 应用特定微控制器



PTVS51VP1UTP - 高温600 W瞬态电压抑制器
PTVS51VP1UTP是NXP恩智浦公司的一款600W TVS二极管产品,PTVS51VP1UTP是高温600 W瞬态电压抑制器,本站介绍了PTVS51VP1UTP的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PTVS51VP1UTP相关的NXP元器件型号供参考。
PTVS51VP1UTP - 高温600 W瞬态电压抑制器 - 600W TVS二极管 - 瞬变电压抑制器(TVS)二极管 - 恩智浦
产品描述
600 W单向瞬态电压抑制器(TVS)采用SOD128小型扁平引脚表面贴装设备(SMD)塑料封装,可为高温应用提供瞬态过压保护。
产品特性和优势
- 额定峰值脉冲功率:PPPM = 600 W
- 反向关态电压范围: VRWM = 3.3 V至64 V
- 反向电流:IRM = 0.001 μA
- 极低封装高度:1 mm
- 高温稳定性:Tj ≤185 °C
- 小型塑料封装,适合表贴设计
- 符合AEC-Q101标准
产品应用
- 电源保护
- 汽车电子应用
- 工业应用
- 电源管理
- 高温应用
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