74LV14是低压硅栅CMOS器件，与74HC14和74HCT14针脚和功能兼容。

74LV14提供六个带施密特触发器输入的反相缓冲器。该器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

输入针对正向和负向信号在不同点进行切换。正电压VT+和负电压VT-之差定义为输入迟滞电压VH.

• 宽工作电压范围：1.0 V至5.5 V
• 最适合低压应用：1.0 V至3.6 V
• 接受介于VCC = 2.7 V和VCC = 3.6 V之间的TTL输入电平
• VCC = 3.3 V且Tamb = 25 °C时的典型输出地弹：< 0.8 V
• VCC = 3.3 V且Tamb = 25 °C时的典型高电平输出电压(VOH)欠冲：> 2 V
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 适用于高噪声环境的波形和脉冲整形器
• 非稳态多谐振荡器
• 单稳态多谐振荡器

• PEMB14; PUMB14 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 47 kOhm，R2 = 开路
• PTVS20VS1UR - 400 W瞬态电压抑制器
• BAP50-04 - 硅PIN二极管
• PEMH20 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 2.2 kOhm
• PSMN2R0-60PS - N沟道60 V 2.2 mΩ标准电平MOSFET，采用TO-220封装
• GTL2002DC - 2位双向低电压变换器
• 74ALVCH16245DL - 16位收发器，具有方向针脚；3态
• PUMB10 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 2.2 kΩ，R2 = 47 kΩ
• BZT52H-C3V3 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• PBR941 - NPN UHF宽频带晶体管