逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET，在175°C下采用LFPAK56封装，使用先进的TrenchMOS超结技术。该产品设计适用于高性能电源开关应用。

• NextPower-S3技术可实现"带软恢复功能的超快速开关性能"
• 低QRR、QG和QGD，可实现系统效率高和EMI低的设计
• Schottky-Plus本体二极管可实现无相关IDSS高漏电流的软开关性能
• 采用NextPower-S3超结技术，最适合4.5V栅极驱动
• 高可靠性LFPAK (Power SO8)封装、铜夹片、芯片焊接，额定温度为175°C
• 外露引脚可实现波峰焊、焊点目测和高品质焊点
• 低寄生电感和电阻

• 同步整流
• DC-DC转换器
• 高性能与高效服务器电源
• 电机控制
• 电源OR-ing

• PESD3USB3S - NXP芯片
• 74AUP1G79GM - 低功耗D型触发器；正沿触发器
• 74AUP2G57GU - 低功耗双PCB可配置多功能门
• 74AUP3G0434GS - 低功耗双路反相器和单路缓冲器
• BLF8G20LS-400PGV - 功率LDMOS晶体管
• PBSS4160PANS - 60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor
• BZX79-B33 - 稳压器二极管
• TEF6624T - 恩智浦低中频模拟汽车无线电
• TDF8599ATH - 具有负载诊断功能的I2C总线控制型双通道135W/4 Ohm、单通道250W/2 Ohm D类功率放大器
• PDTC114EU - NPN配电阻晶体管；R1 = 10 kΩ，R2 = 10 kΩ