逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET，在175°C下采用LFPAK56封装，使用先进的TrenchMOS超结技术。该产品设计适用于高性能电源开关应用。

• NextPower-S3技术可实现"带软恢复功能的超快速开关性能"
• 低QRR、QG和QGD，可实现系统效率高和EMI低的设计
• Schottky-Plus本体二极管可实现无相关IDSS高漏电流的软开关性能
• 采用NextPower-S3超结技术，最适合4.5V栅极驱动
• 高可靠性LFPAK (Power SO8)封装、铜夹片、芯片焊接，额定温度为175°C
• 外露引脚可实现波峰焊、焊点目测和高品质焊点
• 低寄生电感和电阻

• 同步整流
• DC-DC转换器
• 高性能与高效服务器电源
• 电机控制
• 电源OR-ing

• SE95 - 超高准确度数字温度传感器与温度监控器
• 74AUP1G09GW - 低功耗2输入与门，带开漏输出
• PESD5V0H1BSF - 超低电容双向ESD保护二极管
• PSMN2R0-30YL - N沟道30 V 2 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装
• BZT52H-B2V7 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• BLF7G22L(S)-250P - LDMOS功率晶体管
• UJA1066TW - 高速CAN故障安全系统基础芯片
• 74LVC1G16GX - Single buffer
• 74HC4094DB - 8级移位和存储总线寄存器
• BUK7Y07-30B - N沟道TrenchMOS标准电平FET