逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET，在175°C下采用LFPAK56封装，使用先进的TrenchMOS超结技术。该产品设计适用于高性能电源开关应用。

• NextPower-S3技术可实现"带软恢复功能的超快速开关性能"
• 低QRR、QG和QGD，可实现系统效率高和EMI低的设计
• Schottky-Plus本体二极管可实现无相关IDSS高漏电流的软开关性能
• 采用NextPower-S3超结技术，最适合4.5V栅极驱动
• 高可靠性LFPAK (Power SO8)封装、铜夹片、芯片焊接，额定温度为175°C
• 外露引脚可实现波峰焊、焊点目测和高品质焊点
• 低寄生电感和电阻

• 同步整流
• DC-DC转换器
• 高性能与高效服务器电源
• 电机控制
• 电源OR-ing

• BZB84-B11 - 双倍齐纳二极管
• 74AHC(T)594 - 8位移位寄存器，带输出寄存器
• BZX384-C27 - 稳压器二极管
• TEA1716T - 具有集成间歇频率工作模式、符合EuP lot 6的HV启动谐振LLC+PFC组合控制器
• CBT3251DB - 8选1 FET多路复用器/解复用器
• PN7120A0EV - Full NFC Forum-compliant controller with integrated firmware and NCI interface
• BZX84-C24 - 稳压器二极管
• 74AXP1G17GS - 低功耗施密特触发器
• PUMH30 - NPN/NPN配电阻双晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 开路
• 74AHCT74BQ - 带设置和复位功能的八频D型触发器；正沿触发器