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PSMN1R4-40YLD技术文档下载：
PSMN1R4-40YLD产品应用图解：
PSMN1R4-40YLD - N沟道40 V，1.4 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装，使用NextPowerS3技术
PSMN1R4-40YLD是NXP公司的一款通用MOSFET产品，PSMN1R4-40YLD是N沟道40 V，1.4 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装，使用NextPowerS3技术，本站介绍了PSMN1R4-40YLD的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与PSMN1R4-40YLD相关的NXP元器件型号供参考。
PSMN1R4-40YLD - N沟道40 V，1.4 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装，使用NextPowerS3技术 - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦, LLC
产品描述
逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET，在175°C下采用LFPAK56封装，使用先进的TrenchMOS超结技术。该产品设计适用于高性能电源开关应用。
产品特性和优势
- NextPower-S3技术可实现"带软恢复功能的超快速开关性能"
- 低QRR、QG和QGD，可实现系统效率高和EMI低的设计
- Schottky-Plus本体二极管可实现无相关IDSS高漏电流的软开关性能
- 采用NextPower-S3超结技术，最适合4.5V栅极驱动
- 高可靠性LFPAK (Power SO8)封装、铜夹片、芯片焊接，额定温度为175°C
- 外露引脚可实现波峰焊、焊点目测和高品质焊点
- 低寄生电感和电阻
产品应用
- 同步整流
- DC-DC转换器
- 高性能与高效服务器电源
- 电机控制
- 电源OR-ing
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