74HC4051；74HCT4051是高速硅栅CMOS器件，与低功耗肖特基TTL (LSTTL)针脚兼容。该器件的规格符合JEDEC标准no. 7A。

74HC4051；74HCT4051是8通道模拟多路复用器/解复用器，带三个数字选择输入（S0至S2）、一个低电平有效使能输入(E)、八个独立输入/输出（Y0至Y7）和一个公共输入/输出(Z)。E为低电平时，通过S0至S2选择八个开关之一（低阻抗导通状态）。E为高电平时，无论S0至S2如何，所有开关都处于高阻抗关断状态。

VCC和GND是适用于数字控制输入（S0至S2以及E）的电源电压针脚。VCC至GND范围对于74HC4051为2.0 V至10.0 V，对于74HCT4051为4.5 V至5.5 V。模拟输入/输出（Y0至Y7以及Z）可在作为正极限的VCC和作为负极限的VEE之间波动。VCC - VEE不得超过10.0 V。

对于作为数字多路复用器/解复用器的操作，VEE连接到GND（通常为接地）。

• -5 V至+5 V的宽模拟输入电压范围
• 低导通电阻：
  • VCC - VEE = 4.5 V时，80 ?（典型值）
  • VCC - VEE = 6.0 V时，70 ?（典型值）
  • VCC - VEE = 9.0 V时，60 ?（典型值）
• 逻辑电平转换：实现5 V逻辑与±5 V模拟信号的通信
• 典型的“先断后通式”结构
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 模拟多路复用和解复用
• 数字多路复用和解复用
• 信号选通

• BZB84-C5V6 - 双倍齐纳二极管
• PTVS40VP1UTP - 高温600 W瞬态电压抑制器
• PMZB150UNE - 20 V, N-channel Trench MOSFET
• 74VHC32BQ - 四路2输入或门
• PLVA665A - 低压雪崩稳压器二极管
• BCW89 - PNP通用晶体管
• 74AUP1T97GX - 低功耗可配置门，带电压电平转换器
• PZU10B1 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• PESD5V0F1BL - 毫微微法拉级(Femtofarad)双向ESD保护二极管
• 74HCT241PW - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态