74HC259；74HCT259是高速硅栅CMOS器件并且与低功耗肖特基TTL（LSTTL）引脚兼容。它们符合JEDEC标准No. 7A。

74HC259；74HCT259是高速8位可寻址锁存器，设计用于数字系统的通用存储应用。它们是多功能器件，能够将单线路数据存储在八个可寻址锁存器中。它们提供带有源高电平输出（Q0至Q7）的3到8线路解码器和多路复用器功能。它们还包括一个可复位所有锁存器的有源低电平通用复位（MR）以及一个有源低电平使能输入（LE）。

74HC259；74HCT259具有四种操作模式：

在可寻址锁存器模式下，数据线路（D）上的数据会被写入寻址锁存器。寻址锁存器会跟踪数据输入，并且所有非寻址锁存器仍保持之前状态。 在存储器模式下，所有锁存器会保持之前的状态，并且不受数据或地址输入的影响。 在多路解复用模式（或3到8线路解码模式）下，寻址输出会跟踪数据输入（D）的状态，并且所有其他输出都处于低电平状态。 在复位模式下，所有输出为低电平，并且不受地址输入（A0至A2）和数据输入（D）的影响。

运行74HC259时；74HCT259作为更改多个地址位的地址锁存器，可实行一个瞬态错误地址。因此，这仅能在存储器模式下实行。

• 结合多路解复用器和8位锁存器
• 串并能力
• 每个存储位的输出可用
• 随机（可寻址）数据录入
• 可轻松扩展
• 通用复位输入
• 作为3到8线路有源高电平解码器非常有用
• 输入电平：
  • 对于74HC259：CMOS电平
  • 对于74HCT259：TTL电平
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22E超过1000 V
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PMBS3904 - NPN通用晶体管
• 74LVC1G157GW - 单路2输入多路复用器
• PBSS5160QA - 60 V，1 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• BUK6C3R3-75C - N沟道TrenchMOS中间电平FET
• BZX84J-C8V2 - 单倍齐纳二极管
• 74HC(T)257 - 四路2输入多路复用器；3态
• PZU3.0B2L - 单倍齐纳二极管
• BLF6G22L-40BN - 功率LDMOS晶体管
• BZT52H-C56 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• 1PS70SB45 - 通用肖特基二极管