74LVC1G125提供一个带3态输出的非反相缓冲器/线路驱动器。3态输出通过输出使能输入(OE)控制。针脚OE处的高电平使输出呈高阻抗关断状态。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• CMOS低功耗
• 输入可接受高达5 V的电压
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• PDTA144TMB - PNP配电阻晶体管；R1 = 47 kΩ，R2 = 开路
• 74AHC(T)126 - 四路缓冲器/线路驱动器；3态
• BZX585-B36 - 稳压器二极管
• PESD5V0V1BA - 极低电容双向ESD保护二极管
• 74AHCT1G04GV - 反相器
• 74AHC373PW - 八进制D型透明锁存器；3态
• PSMN3R4-30BL - N沟道30 V 3.3 m?逻辑电平MOSFET，采用D2PAK封装
• IP4364CX8 - 集成式SIM卡无源滤波器阵列，ESD保护符合IEC 61000-4-2第四级标准
• PBSS302PZ - 20 V、5.5 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• NZH10C - 单倍齐纳二极管