74LVC1G125提供一个带3态输出的非反相缓冲器/线路驱动器。3态输出通过输出使能输入(OE)控制。针脚OE处的高电平使输出呈高阻抗关断状态。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• CMOS低功耗
• 输入可接受高达5 V的电压
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• PMEG6020AELP - 60 V, 2 A low leakage current Schottky barrier rectifier
• PBHV8515QA - 150 V, 500 mA NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor
• 74LVC16241ADGG - 16-bit buffer/line driver with 5 V tolerant inputs/outputs; 3-state
• 74AHC244BQ - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• BB208-03 - 低压变容二极管
• 74AUP1G74GS - 带设置和复位功能的低功耗D型触发器；正沿触发器
• TDA8595 - I2C总线控制型4 x 45 W功率放大器
• BUK625R0-40C - N沟道TrenchMOS中间电平FET
• 74LVT02 - 3.3 V四路2输入或非门
• BSS84AKMB - 50 V，单P沟道Trench MOSFET