74LVC1G125提供一个带3态输出的非反相缓冲器/线路驱动器。3态输出通过输出使能输入(OE)控制。针脚OE处的高电平使输出呈高阻抗关断状态。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• CMOS低功耗
• 输入可接受高达5 V的电压
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• BLF7G27LS-75P - 功率LDMOS晶体管
• 74AUP1G86GN - 低功耗2输入异或门
• BAS35 - （两个）通用受控雪崩二极管
• BZT52H-C24 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• PHPT61003PY - 100 V、3A PNP高功率双极性晶体管
• 74HC86PW - 四路2输入异或门
• PDTC143EMB - NPN配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 4.7 kΩ
• BZV49-C7V5 - 稳压器二极管
• 74AUP2G00GM - 低功耗双路2输入与非门
• BUK9E04-40A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET