74ALVCH16821具有两个10位边沿触发寄存器，每个寄存器都耦合到三态输出缓冲器。每个寄存器的两个部分由时钟（nCP）和输出使能（nOE）控制逻辑门独立控制。

每个寄存器为完全边沿触发。在时钟从低到高转换前的某个建立时间，每个D输入的状态会被传输到相应的触发器Q输出。

nOE为低电平时，寄存器内的数据会出现在输出处。nOE为高电平时，输出处于高阻抗关断状态。

nOE输入的操作不会影响触发器的状态。74ALVCH16821具有有源总线保持电路，可将闲置或浮动数据输入保持在有效逻辑电平。该功能无需外部上拉或下拉电阻。

• 1.2 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 符合JEDEC标准no. 8-1A
• 3.0 V时电流驱动能力为±24 mA
• CMOS低功耗
• 直接与TTL电平连接
• MULTIBYTE直通标准引脚排列架构
• 用于最大程度减少噪声和接地反弹的多个低电感VCC和接地引脚
• 所有数据输入都有总线保持
• 输出驱动能力50 Ω（传输线路的温度为85 °C）

• BZT52H-C5V1 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• 74AUP2G125GD - 低功耗双路缓冲器/线路驱动器；3态
• PZU24B1A - 单倍齐纳二极管
• 74AUP1G57GS - 低功耗可配置多功能门
• PESD2USB3S - NXP芯片
• 74LVT14PW - 3.3 V十六进制反相器施密特触发器
• 74HCT259PW - 8位可寻址锁存器
• 74AHC157D - 四路2输入多路复用器
• NX3020NAK - 30 V，单N沟道Trench MOSFET
• 74LVC1G123GD - 单可再触发单稳态多谐振荡器；施密特触发器输入