74HC165；74HCT165是符合JEDEC标准no. 7A的高速硅栅CMOS器件。该类器件与低功耗肖特基TTL (LSTTL)针脚兼容。

74HC165；74HCT165是8位并行负载或串行输入移位寄存器，末级提供互补串行输出（Q7和Q7）。并行负载(PL)输入为低电平时，来自D0至D7输入的并行数据会异步加载到寄存器中。

PL为高电平时，数据在DS输入处串行输入寄存器并随时钟每次正向跃迁向右移一位（Q0 → Q1 → Q2，以此类推）。通过将Q7输出连接到后一级的DS输入，该特性可实现并行到串行转换器扩展。

时钟输入为门控或结构，允许一个输入用作低电平有效时钟使能(CE)输入。CP和CE输入的针脚分配是任意的，为便于布局可以颠倒。CE输入从低电平至高电平的跃迁应当仅在CP为高电平时发生，以便操作可预测。PL从低电平跃迁到高电平前CP或CE应当为高电平，以防激活PL时移位数据。

• 异步8位并行负载
• 同步串行输入
• 符合JEDEC标准no. 7A
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 并行到串行数据转换

• BLF8G20LS-140GV - Power LDMOS transistor
• NX3L2T384 - 双低电阻单刀双掷模拟开关
• PESD5V0X2UM - 超低电容单向双ESD保护二极管
• PBSS4112PAN - 120 V，1 A NPN/NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• 74AXP2G17GN - Low-power dual Schmitt trigger
• BZX84-A36 - 稳压器二极管
• PZU8.2B - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• PZU6.2DB2 - 双倍齐纳二极管
• 74ABT20DB - 双路4输入与非门
• 74AUP1G0832 - 低功耗3输入与或门