
PSMN1R8-40YLC技术文档下载:
PSMN1R8-40YLC产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- P87C552SFAA,512 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
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- P1022NXN2LFB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- DEVKIT-S12VRP - 评估板 - 嵌入式 - MCU,DSP
- P3T2030XUK-ARD - 开发板,套件,编程器 > 评估板 > 扩展板,子卡
- P87C51RC+4A,512 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC34903CP3EKR2 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
- MPC8548ECPXAUJB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- BZA968AVL,115 - 电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
- BYV32EB-200,118 - 未分类 > 未分类
- MCIMX6G2CVM05AB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器



PSMN1R8-40YLC - N沟道40 V 1.8 m?逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装,使用NextPower技术
PSMN1R8-40YLC是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品,PSMN1R8-40YLC是N沟道40 V 1.8 m?逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装,使用NextPower技术,本站介绍了PSMN1R8-40YLC的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PSMN1R8-40YLC相关的NXP元器件型号供参考。
PSMN1R8-40YLC - N沟道40 V 1.8 m?逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装,使用NextPower技术 - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
逻辑电平增强型N沟道MOSFET,采用LFPAK封装。该产品设计适用于各种工业、通信及家用设备。
产品特性和优势
- 高可靠性Power SO8封装,额定温度为175°C
- 采用NextPower超结技术,最适合4.5V栅极驱动
- 超低QG、QGD和QOSS,高/低负载时可实现系统高效率
- 超低Rdson和低寄生电感
产品应用
- DC-DC转换器
- 负载开关
- 电源OR-ing
- 服务器电源
- 同步整流器
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