
CLF1G0035(S)-50技术文档下载:
CLF1G0035(S)-50产品应用图解:


NXP恩智浦芯片:
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- S9S08DV16F1MLC - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- BAP63LX,315 - 分立半导体产品 > 二极管 > 射频
- 74HC7030D,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > FIFO 存储器
- SP5745CBK1AMMJ6R - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- BZX585-B3V9,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- NCF2952ETT/TPE080J - 射频和无线 > RFID,射频接入,监控 IC
- PCA9519PW,112 - 集成电路(IC) > 接口 > 信号缓冲器、中继器、分离器
- BZX84-C2V7/LF1R - 二极管 - 齐纳 - 单
- SPC5644BAMLU1 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- HEC4001BT,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器



CLF1G0035(S)-50 - 宽带RF功率GaN HEMT
CLF1G0035(S)-50是NXP恩智浦公司的一款GaN器件产品,CLF1G0035(S)-50是宽带RF功率GaN HEMT,本站介绍了CLF1G0035(S)-50的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与CLF1G0035(S)-50相关的NXP元器件型号供参考。
CLF1G0035(S)-50 - 宽带RF功率GaN HEMT - GaN器件 - RF功率晶体管 - 恩智浦
产品描述
CLF1G0035-50和CLF1G0035S-50是宽带通用50 W放大器,采用了恩智浦的第1代GaN HEMT技术。工作频率为DC至3.5 GHz。
产品特性和优势
- 工作频率为DC至3.5 GHz
- 50 W通用宽带RF功率GaN HEMT
- 极佳的强度(VSWR 10 : 1)
- 高电压操作(50 V)
- 热增强封装
产品应用
- 商业无线基础设施(蜂窝、WiMAX)
- 雷达
- 宽带通用放大器
- 公共移动无线电
- 工业、科学、医疗
- 干扰器
- EMC测试
- 国防应用
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