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74AXP1G86产品应用图解:




NXP恩智浦芯片:
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- BUK9Y7R8-80E,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- HEF40174BT,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 触发器
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74AXP1G86 - Low-power 2-input EXCLUSIVE-OR gate
74AXP1G86是NXP恩智浦公司的一款异或门 (XOR)产品,74AXP1G86是Low-power 2-input EXCLUSIVE-OR gate,本站介绍了74AXP1G86的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与74AXP1G86相关的NXP元器件型号供参考。
74AXP1G86 - Low-power 2-input EXCLUSIVE-OR gate - 异或门 (XOR) - 门 - 恩智浦
产品描述
The 74AXP1G86 is a single 2-input EXCLUSIVE-OR gate.
Schmitt-trigger action at all inputs makes the circuit tolerant of slower input rise andfall times.
This device ensures very low static and dynamic power consumption across the entireVCC range from 0.7 V to 2.75 V. It is fully specified for partial powerdown applications using IOFF. The IOFF circuitry disables theoutput, preventing the potentially damaging backflow current through the device when itis powered down.
产品特性和优势
- Wide supply voltage range from 0.7 V to 2.75 V
- Low input capacitance; CI = 0.5 pF (typical)
- Low output capacitance; CO = 1.0 pF (typical)
- Low dynamic power consumption; CPD = 2.6 pF at VCC = 1.2 V(typical)
- Low static power consumption; ICC = 0.6 μA (85 °C maximum)
- High noise immunity
- Complies with JEDEC standard:
- JESD8-12A.01 (1.1 V to 1.3 V)
- JESD8-11A.01 (1.4 V to 1.6 V)
- JESD8-7A (1.65 V to 1.95 V)
- JESD8-5A.01 (2.3 V to 2.7 V)
- ESD protection:
- HBM ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 Class 2 exceeds 2 kV
- CDM JESD22-C101E exceeds 1000 V
- Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78 Class II
- Inputs accept voltages up to 2.75 V
- Low noise overshoot and undershoot < 10 % of VCC
- IOFF circuitry provides partial Power-down mode operation
- Multiple package options
- Specified from -40 °C to +85 °C
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