74HC273；74HCT273是高速硅栅CMOS器件并且与低功耗肖特基TTL（LSTTL）引脚兼容。

74HC273；74HCT273具有带单独D输入和Q输出的八个边沿触发D类触发器。通用时钟（引脚CP）和主复位（引脚MR）同时输入、加载和复位（清零）所有触发器。在时钟从低到高转换前的某个建立时间，每个D输入状态都会被传输到相应的触发器输出（Qn）。

通过MR输入上的低电压电平，所有输出都会被强制为不受时钟或数据输入影响的低电平。

该器件对于仅需要真正输出以及时钟和主复位常用于所有存储元件的应用非常有用。

• 用于MOS微处理器或存储器的理想缓冲器
• 通用时钟和主复位
• 八个正沿触发D类触发器
• 符合JEDEC标准no. 7A
• ESD保护：
  • HBM EIA/JESD22-A114-C超过2000 V
  • MM EIA/JESD22-A115-A超过200 V
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40 °C至+85°C以及-40 °C至+125 °C

• 74LVC1G07 - 缓冲器，带开漏输出
• MF1S50yyX/V1 - MIFARE Classic 1K - 适用于快速简单的解决方案开发的主流非接触式智能卡IC
• PTVS5V0S1UR - 400 W瞬态电压抑制器
• 74LVC2G34GS - 双路缓冲器门
• 74LVC(H)1T45 - 双电源转换收发器；3态
• 74LVC1G06GM - 反相器，带开漏输出
• PSMN013-100BS - N沟道100 V 13.9m?标准电平MOSFET，采用D2PAK封装
• PTVS8V0P1UP - 600 W瞬态电压抑制器
• PSMN4R5-30YLC - N沟道30 V 4.8 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• TEA1733LT - 低压启动的在定频/CCM下工作的反激控制器