74LVC2G32提供一个2输入或门功能。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将这些器件用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 掉电模式中的5 V容压输出
• 高抗噪性
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PUMD19 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 22 kOhm，R2 = 开路
• 74HC04BQ - 六位元反相器
• 74ALVC02 - 四路2输入或非门
• BSR31 - 60 V，1 A PNP中等功率晶体管
• PMEG2010EA - 低VF (MEGA)肖特基势垒整流二极管
• IP4386CX4 - 集成式高性能ESD保护二极管
• BLF8G22LS-200(G)V - 功率LDMOS晶体管
• PBLS4002Y; PBLS4002V - 40 V PNP BISS负载开关
• 74HC4052DB - 双路4通道模拟多路复用器/解复用器
• PSMN013-100PS - N沟道100 V 13.9m?标准电平MOSFET，采用TO220封装。