74LVC2G32提供一个2输入或门功能。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将这些器件用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 掉电模式中的5 V容压输出
• 高抗噪性
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74VHCT244D - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• PSMN2R6-30YLC - N沟道30 V 2.8 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• TJA1029 - LIN 2.2A/SAE J2602 transceiver with TXD dominant timeout
• BAT120 series - 双倍肖特基势垒二极管
• 74HC1G04GW - 反相器
• PSMN1R0-30YLC - N沟道30 V 1.15 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• 74AUP3G04GD - 低功耗三路反相器
• 74LVCH162374ADL - 16位边沿触发的D型触发器，带30 Ω串联端接电阻；5 V容限输入/输出；3态
• 74AUP2G16 - Low-power dual buffer
• BZB84-B68 - 双倍齐纳二极管