逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET，采用LFPAK56封装。NextPowerS3产品组合利用恩智浦特有的“SchottkyPlus”技术，提供高频率低峰值性能，通常只有集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET才具有这种性能，并且没有令人烦恼的高漏电流问题。NextPowerS3特别适合于高开关频率下的高效应用。

• 超低QG、QGD和QOSS，可实现系统高效率，尤其是在开关频率较高时
• 带软恢复功能的超快速开关性能；s-factor > 1
• 针对低EMI设计的低峰值和振铃
• 特有的“SchottkyPlus”技术；类肖特基性能：漏电流<1?μA（25?°C时）
• 最适合4.5 V栅极驱动
• 低寄生电感和电阻
• 高可靠性夹片粘合和芯片焊接Power SO8封装；无胶合、无焊线，额定工作温度为175?°C
• 波焊；外露引脚，可实现最佳焊点目测

• 适合服务器和电信的板载DC-DC解决方案
• 电信应用中的次级侧同步整流
• 电压调节器模块(VRM)
• 负载点(POL)模块
• 针对V-core、ASIC、DDR、GPU、VGA和系统组件的功率输出
• 有刷与无刷马达控制
• 电源OR-ing

• NT2H0301F0DTL - NFC Forum Type 2 Tag compliant IC with 144 bytes user memory and field detection
• TEA1703TS - 实现极低待机功耗的副边侧控制器
• BLF888DS - UHF功率LDMOS晶体管
• 74AUP3G3404DC - 低功耗双路缓冲器和单路反相器
• PMBTA44 - 400 V，0.3 A NPN高压低VCEsat (BISS)晶体管
• 74AUP1G374 - 低功耗D型触发器；正沿触发器（三态）
• 74AUP1G08GW - 低功耗2输入与门
• BUK9Y12-55B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• 74LVC827ADB - 10位缓冲器/线路驱动器，带5 V容压输入/输出；3态
• 74LVC1G11GX - 单路3输入与门