
PSMN1R0-30YLD技术文档下载:
PSMN1R0-30YLD产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
- SC16C752IB48,151 - 集成电路(IC) > 接口 > UART(通用异步接收器发送器)
- 74LVTH16244BDGG;51 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- 74HCT688PW,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 比较器
- PDTC144TE,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
- MKE14Z256VLH7R - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- CBT3126PW,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 信号开关,多路复用器,解码器
- 74AHC30D,112 - 未分类 > 未分类
- 74ABT821DB,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 触发器
- SPC5602CACLL4 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- ADC1113D125HN/C1:5 - 未分类 > 未分类
- 74HC4016N,652 - 集成电路(IC) > 接口 > 模拟开关,多路复用器,解复用器
- TJA1052IT/5Y - 集成电路(IC) > 接口 > 驱动器,接收器,收发器
- BZX585-B4V7,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- BSR12,215 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
- N74F640N,602 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- MC908JK3CDWE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74LV132D,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- MC9S12KG256MFUE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- EVBCRTOUCH - 评估板 - 传感器
- S9S08SG32E1WTG - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器



PSMN1R0-30YLD - N沟道30 V,1.0 mΩ逻辑电平MOSFET,采用LFPAK56封装,使用NextPowerS3技术
PSMN1R0-30YLD是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品,PSMN1R0-30YLD是N沟道30 V,1.0 mΩ逻辑电平MOSFET,采用LFPAK56封装,使用NextPowerS3技术,本站介绍了PSMN1R0-30YLD的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PSMN1R0-30YLD相关的NXP元器件型号供参考。
PSMN1R0-30YLD - N沟道30 V,1.0 mΩ逻辑电平MOSFET,采用LFPAK56封装,使用NextPowerS3技术 - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET,采用LFPAK56封装。NextPowerS3产品组合利用恩智浦特有的“SchottkyPlus”技术,提供高频率低峰值性能,通常只有集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET才具有这种性能,并且没有令人烦恼的高漏电流问题。NextPowerS3特别适合于高开关频率下的高效应用。
产品特性和优势
- 超低QG、QGD和QOSS,可实现系统高效率,尤其是在开关频率较高时
- 带软恢复功能的超快速开关性能;s-factor > 1
- 针对低EMI设计的低峰值和振铃
- 特有的“SchottkyPlus”技术;类肖特基性能:漏电流<1?μA(25?°C时)
- 最适合4.5 V栅极驱动
- 低寄生电感和电阻
- 高可靠性夹片粘合和芯片焊接Power SO8封装;无胶合、无焊线,额定工作温度为175?°C
- 波焊;外露引脚,可实现最佳焊点目测
产品应用
- 适合服务器和电信的板载DC-DC解决方案
- 电信应用中的次级侧同步整流
- 电压调节器模块(VRM)
- 负载点(POL)模块
- 针对V-core、ASIC、DDR、GPU、VGA和系统组件的功率输出
- 有刷与无刷马达控制
- 电源OR-ing
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