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PSMN1R0-30YLD产品应用图解:

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PSMN1R0-30YLD - N沟道30 V,1.0 mΩ逻辑电平MOSFET,采用LFPAK56封装,使用NextPowerS3技术
PSMN1R0-30YLD是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品,PSMN1R0-30YLD是N沟道30 V,1.0 mΩ逻辑电平MOSFET,采用LFPAK56封装,使用NextPowerS3技术,本站介绍了PSMN1R0-30YLD的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PSMN1R0-30YLD相关的NXP元器件型号供参考。
PSMN1R0-30YLD - N沟道30 V,1.0 mΩ逻辑电平MOSFET,采用LFPAK56封装,使用NextPowerS3技术 - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET,采用LFPAK56封装。NextPowerS3产品组合利用恩智浦特有的“SchottkyPlus”技术,提供高频率低峰值性能,通常只有集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET才具有这种性能,并且没有令人烦恼的高漏电流问题。NextPowerS3特别适合于高开关频率下的高效应用。
产品特性和优势
- 超低QG、QGD和QOSS,可实现系统高效率,尤其是在开关频率较高时
- 带软恢复功能的超快速开关性能;s-factor > 1
- 针对低EMI设计的低峰值和振铃
- 特有的“SchottkyPlus”技术;类肖特基性能:漏电流<1?μA(25?°C时)
- 最适合4.5 V栅极驱动
- 低寄生电感和电阻
- 高可靠性夹片粘合和芯片焊接Power SO8封装;无胶合、无焊线,额定工作温度为175?°C
- 波焊;外露引脚,可实现最佳焊点目测
产品应用
- 适合服务器和电信的板载DC-DC解决方案
- 电信应用中的次级侧同步整流
- 电压调节器模块(VRM)
- 负载点(POL)模块
- 针对V-core、ASIC、DDR、GPU、VGA和系统组件的功率输出
- 有刷与无刷马达控制
- 电源OR-ing
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