74AXP1G57是带施密特触发输入的可配置多功能门。该器件可配置为任何以下逻辑功能：AND、OR、NAND、NOR、XNOR、反相器和缓冲器。所有输入都可直接连接到VCC或GND。该器件可确保整个0.7 V至2.75 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用而设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时潜在破坏性回流电流通过该器件。

• 0.7 V至2.75 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12A.01（宽范围：0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-12A.01（正常范围：1.1 V至1.3 V）
  • JESD8-11A.01（1.4 V至1.6 V）
  • JESD8-7A（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5A.01（2.3 V至2.7 V）
• ESD保护：
  • HBM ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 2类超过2 kV
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.6 μA（85 °C最大 ）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达2.75 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C

• 74LVT245D - 3.3 V八进制收发器，具有方向针脚（3态）
• BFU520A - NPN宽带硅RF晶体管
• PBSS303NX - 30 V、5.1 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• 74AHCT574BQ - 八频D型触发器；正边沿触发器；三态
• PDTD143XU - 500 mA、50 V PNP配电阻晶体管
• PCA9554CBS - 带有中断、弱上拉的低电压8位I2C总线和SMBus低功率I/O端口
• DFN1010D_3_SERIES - 集电极 - 发射极电压VCEO = 30 V和60 V；集电极电流IC = 1 A和2 A。占用更小体积而实现的SOT23性能。
• NX3L4684 - 双低电阻单刀双掷模拟开关
• BUK663R2-40C - N沟道TrenchMOS中间电平FET
• PSMN9R5-100BS - N沟道100 V 9.6 m?标准电平MOSFET，采用D2PAK封装