中间电平栅极驱动N沟道增强型场效应晶体管(FET)，采用塑料封装，使用先进的TrenchMOS技术。该产品设计符合相应AEC Q101标准，适用于高性能汽车电子应用。

• 符合AEC Q101标准
• 适用于中间电平栅极驱动源
• 额定温度为175 °C，适用于对热性能要求苛刻的环境

• 12 V汽车系统
• 电动和电动液压助力转向
• 马达、灯具和螺线管控制
• 微型混合动力起止应用
• 传动控制
• 超高性能电源开关

• P5CC040XD - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器
• PSMN085-150K - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• PMEG4030ETP - 40 V、3 A低VF MEGA肖特基势垒整流二极管
• BLF7G27LS-75P - 功率LDMOS晶体管
• BZX585-C30 - 稳压器二极管
• PCF85263AT - Tiny Real-Time Clock/calendar with alarm function, battery switch-over, time stamp input, and I2C-bus
• 74LVC1G80GM - 单D型触发器；正沿触发器
• PZU4.3B2 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• HTMS8101FTB - HITAG μ (ISO14223)和(ISO11784/85)应答器IC
• 74HC173D - 四频D型触发器；正沿触发器（三态）