74AUP3G34是三路缓冲器。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78B II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围：?40 °C至+85 °C和?40 °C至+125 °C

• CBT3253ADS - 双路4选1 FET多路复用器/解复用器
• PCA9547PW - 带有复位的8通道I2C总线多路复用器
• NX3020NAK - 30 V，单N沟道Trench MOSFET
• NZH22C - 单倍齐纳二极管
• NTAG203F - NFC Forum类型2标签兼容型IC，集成144字节用户存储器和现场检测
• 74ALVC162834ADGG - 18位寄存驱动器，具有倒相寄存器使能和30 Ω端接电阻（3态）
• BUK7C08-55AITE - N沟道TrenchPLUS标准电平FET
• 74AHC123APW - 双可再触发单稳态多谐振荡器，带重置
• BUK7237-55A - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 2PD602ASL - 50 V，500 mA NPN通用晶体管