74AUP2G86提供双路2输入异或功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PMBT3946YPN - 40 V，200 mA NPN/PNP通用双晶体管
• PTVS64VS1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器
• BZX585-C13 - 稳压器二极管
• 74LVC2G240GN - 双路反相缓冲器/线路驱动器；3态
• NT2H1611F0DTL - NFC Forum Type 2 Tag compliant IC with 888 bytes user memory and field detection
• 74LVTH16244BBX - 3.3 V 16位缓冲器/驱动器；3态
• BUK9K6R2-40E - 双N沟道40 V，6.2 m?逻辑电平MOSFET
• PDTA115ET - PNP配电阻晶体管；R1 = 100 kOhm，R2 = 100 kOhm
• 74HC7541PW - 八进制施密特触发缓冲器/线路驱动器；3态
• MF0UL2101DA8 - MIFARE Ultralight EV1 - 非接触式票证IC