74ALVCH162601为18位通用收发器，在发送和接收方向上都具有非反相三态总线兼容输出。每个方向上的数据流由输出使能（OEAB和OEBA）以及时钟（CPAB和CPBA）输入控制。对于A到B数据流，LEAB为高电平时，该器件会在透明模式下工作。LEAB为低电平时，如果CPAB被保持在高逻辑电平或低逻辑电平，则数据A会被锁存。如果LEAB为低电平，则总线A数据会在CPAB从低到高转换时存储在锁存器/触发器内。OEAB为低电平时，输出为有源。OEAB为高电平时，输出会进入高阻抗关断状态。时钟可由时钟使能输入（CEBA/CEAB）控制。

B至A的数据流与A至B的相似，但使用的是OEBA、LEBA和CPBA。

为确保掉电期间的高阻抗状态，OEBA和OEAB应当通过上拉电阻保持在VCC；电阻的最小值由驱动器的灌电流或源电流能力来确定。

74ALVCH162601设计在高电平或低电平输出级内使用30 Ω串联电阻。

其提供有源总线保持电路，可将闲置或浮动数据输入保持在有效逻辑电平。

• 符合JEDEC标准no. 8-1A
• CMOS低功耗
• 直接与TTL电平连接
• MULTIBYTE按照标准引脚排列架构
• 用于最大程度减少噪声和接地反弹的多个低电感VCC和GND引脚
• 所有数据输入都有总线保持电路
• 集成式30 Ω端接电阻。

• BZX884-C16 - 稳压器二极管
• 74HC03D - 四路2输入与非门
• PTN3360DBS - 带有主动DDC缓冲器、支持3 Gbit/s操作的性能增强型HDMI/DVI电平切换器
• 74LVC(H)244A - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• 74LVC30ABQ - 8-input NAND gate
• BLP05H6350XR - Power LDMOS transistor
• PESD5V0V1BB - 极低电容双向ESD保护二极管
• 74AHC245BQ - 八进制总线收发器；3态
• HEF40244BT - 八位元缓冲器，带3态输出
• BCX71 series - PNP通用晶体管