74AUP2G14提供两个带施密特触发动作的反相缓冲器，其接受标准输入信号。该类器件能将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

输入针对正向和负向信号在不同点进行切换。 正电压VT+和负电压VT-之差定义为输入迟滞电压VH.

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 波形和脉冲整形器
• 无稳态多谐振荡器
• 单稳态多谐振荡器

• PCA9515D - I2C总线转发器
• CBT3125DS - 四路FET总线开关
• PSMN6R0-30YLD - N沟道30 V，6.0 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装，使用NextPowerS3技术
• 74HC161PW - 可预置同步4位二进制计数器；异步复位
• BUK7E4R6-60E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PCA9703HF - 带有可屏蔽低有效中断的18 V耐受SPI 16位GPI
• PSMN1R5-30YLC - N沟道30 V 1.55m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• BUK9875-100A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• 74LVC2G74GN - 带设置和复位功能的单频D型触发器；正沿触发器
• PSMN5R6-100PS - N沟道100 V 5.6 mΩ标准电平MOSFET，采用TO220封装