74AUP2G14提供两个带施密特触发动作的反相缓冲器，其接受标准输入信号。该类器件能将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

输入针对正向和负向信号在不同点进行切换。 正电压VT+和负电压VT-之差定义为输入迟滞电压VH.

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 波形和脉冲整形器
• 无稳态多谐振荡器
• 单稳态多谐振荡器

• P5CC073 - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器
• 74HC(T)5555 - 可编程延迟定时器，带振荡器
• HEF4052B - 双路4通道模拟多路复用器/解复用器
• PBSS4130PANP - 30 V，1 A NPN/PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• PSMN2R8-40BS - N沟道40 V 2.9 m?标准电平MOSFET，采用D2PAK封装
• 74LVC1G80GV - 单D型触发器；正沿触发器
• PZU2.7DB2 - 双倍齐纳二极管
• 74LVC1G80GW - 单D型触发器；正沿触发器
• 74HC107PW - 带复位功能的双频JK触发器；负沿触发器
• BUK9Y113-100E - N沟道100 V，113 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装