逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET，采用LFPAK56封装。NextPowerS3产品组合利用恩智浦特有的“SchottkyPlus”技术，提供高频率低峰值性能，通常只有集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET才具有这种性能，并且没有令人烦恼的高漏电流问题。NextPowerS3特别适合于高开关频率下的高效应用。

• 超低QG、QGD和QOSS，可实现系统高效率，尤其是在开关频率较高时
• 带软恢复功能的超快速开关性能；s-factor > 1
• 针对低EMI设计的低峰值和振铃
• 特有的“SchottkyPlus”技术；类肖特基性能：漏电流<?1?μA（25?°C时）
• 最适合4.5?V栅极驱动
• 低寄生电感和电阻
• 高可靠性夹片粘合和芯片焊接Power SO8封装；无胶合、无焊线，额定工作温度为175?°C
• 波焊；外露引脚，可实现最佳焊点目测

• 适合服务器和电信的板载DC-DC解决方案
• 电信应用中的次级侧同步整流
• 电压调节器模块(VRM)
• 负载点(POL)模块
• 针对V-core、ASIC、DDR、GPU、VGA和系统组件的功率输出
• 有刷与无刷马达控制

• 74AUP1G09GF - 低功耗2输入与门，带开漏输出
• KMZ41 - 磁阻传感器
• 74HC(T)4046A - 锁相环，具有VCO
• 74HC4514D - 4至16线路解码器/解复用器，具有输入锁存器
• 74LVC1G97GV - 低功耗可配置多功能门
• PSMN7R0-100BS - N沟道100 V 6.8 m?标准电平MOSFET，采用D2PAK封装。
• 74LVT162244BDL - 3.3 V 16位缓冲器/驱动器，具有30 Ohm端接电阻
• NWP2081T - 半桥驱动器IC
• SSL5231T - 紧凑型高功率因素可调光LED驱动器(v1)
• PSMN017-30PL - N沟道30 V 17 m?逻辑电平MOSFET，采用TO220封装