逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET，采用LFPAK56封装。NextPowerS3产品组合利用恩智浦特有的“SchottkyPlus”技术，提供高频率低峰值性能，通常只有集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET才具有这种性能，并且没有令人烦恼的高漏电流问题。NextPowerS3特别适合于高开关频率下的高效应用。

• 超低QG、QGD和QOSS，可实现系统高效率，尤其是在开关频率较高时
• 带软恢复功能的超快速开关性能；s-factor > 1
• 针对低EMI设计的低峰值和振铃
• 特有的“SchottkyPlus”技术；类肖特基性能：漏电流<?1?μA（25?°C时）
• 最适合4.5?V栅极驱动
• 低寄生电感和电阻
• 高可靠性夹片粘合和芯片焊接Power SO8封装；无胶合、无焊线，额定工作温度为175?°C
• 波焊；外露引脚，可实现最佳焊点目测

• 适合服务器和电信的板载DC-DC解决方案
• 电信应用中的次级侧同步整流
• 电压调节器模块(VRM)
• 负载点(POL)模块
• 针对V-core、ASIC、DDR、GPU、VGA和系统组件的功率输出
• 有刷与无刷马达控制

• 74AHCT00PW - 四路2输入与非门
• PZU12B2A - 单倍齐纳二极管
• TJA1044T - 具有待机模式的高速CAN收发器
• 74LVC1G14GS - 单路施密特触发器反相器
• PEMH15; PUMH15 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 4.7 kΩ
• BUK762R6-40E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74AHC(T)1G02 - 2输入或非门
• PCA9672D - 带有中断和复位的Fm I²C总线远程8位I/O扩展器
• BLS7G3135LS-350P - LDMOS S波段雷达功率晶体管
• 2PB710ARL - 50 V，500 mA PNP通用晶体管