逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET，采用LFPAK56封装。NextPowerS3产品组合利用恩智浦特有的“SchottkyPlus”技术，提供高频率低峰值性能，通常只有集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET才具有这种性能，并且没有令人烦恼的高漏电流问题。NextPowerS3特别适合于高开关频率下的高效应用。

• 超低QG、QGD和QOSS，可实现系统高效率，尤其是在开关频率较高时
• 带软恢复功能的超快速开关性能；s-factor > 1
• 针对低EMI设计的低峰值和振铃
• 特有的“SchottkyPlus”技术；类肖特基性能：漏电流<?1?μA（25?°C时）
• 最适合4.5?V栅极驱动
• 低寄生电感和电阻
• 高可靠性夹片粘合和芯片焊接Power SO8封装；无胶合、无焊线，额定工作温度为175?°C
• 波焊；外露引脚，可实现最佳焊点目测

• 适合服务器和电信的板载DC-DC解决方案
• 电信应用中的次级侧同步整流
• 电压调节器模块(VRM)
• 负载点(POL)模块
• 针对V-core、ASIC、DDR、GPU、VGA和系统组件的功率输出
• 有刷与无刷马达控制

• BB202 - 低压变容二极管
• PDTC123EU - NPN配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 2.2 kOhm
• PX1011B-EL1 - 独立式PCI Express X1 PHY
• 74CBTLV3257PW - 四路2选1多路复用器/解复用器
• PCA9675D - 带有中断的Fm+ I2C总线远程16位I/O扩展器
• PTVS8V5S1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器
• NX3L1G384 - 低电阻单刀单掷模拟开关
• 74LVC2GU04 - 双路反相器
• PESD36VS1UL - 单向ESD保护二极管
• PMZB350UPE - 20 V，单P沟道Trench MOSFET