
BUK7E4R6-60E技术文档下载:
BUK7E4R6-60E产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MC9S08QG84CFQE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
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- MPC8347ECVVAJDB - 嵌入式 - 微处理器
- LPC5516JBD100E - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC33390D - 集成电路(IC) > 接口 > 驱动器,接收器,收发器
- SPC5673KAVMM1 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- SSTUH32865ET,518 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 专用逻辑器件
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- A5G07H800W19NR3 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- PMBT2222,215 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
- MC9S12DT128CPV - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- CBTS3253D,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 信号开关,多路复用器,解码器
- MIMXRT1052DVL6BR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器



BUK7E4R6-60E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
BUK7E4R6-60E是NXP恩智浦公司的一款汽车MOSFET产品,BUK7E4R6-60E是N沟道TrenchMOS标准电平FET,本站介绍了BUK7E4R6-60E的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BUK7E4R6-60E相关的NXP元器件型号供参考。
BUK7E4R6-60E - N沟道TrenchMOS标准电平FET - 汽车MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
标准电平N沟道MOSFET,采用SOT226封装,使用TrenchMOS技术。该产品设计符合AEC Q101标准,适用于高性能汽车电子应用。
产品特性和优势
- 符合AEC Q101汽车标准
- 重复雪崩耐受
- 额定温度为175 °C,适用于对热性能要求苛刻的环境
- 真正的标准电平栅极,175 °C时VGS(th)额定值大于1 V
产品应用
- 12 V汽车系统
- 马达、灯具和螺线管控制
- 微型混合动力起停应用
- 变速箱控制
- 超高性能电源开关
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