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74AUP1G34GN产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- KITPF8250FRDMEVM - 开发板,套件,编程器 > 评估板 > 评估和演示板及套件
- LPC1112FHI33/203,5 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MPC8572LVTAVNE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- PZU8.2B3,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- MRF7S21110HSR5 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET



74AUP1G34GN - 低功耗缓冲器
74AUP1G34GN是NXP恩智浦公司的一款缓冲器/驱动器产品,74AUP1G34GN是低功耗缓冲器,本站介绍了74AUP1G34GN的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与74AUP1G34GN相关的NXP元器件型号供参考。
74AUP1G34GN - 低功耗缓冲器 - 缓冲器/驱动器 - 逻辑 - 恩智浦
产品描述
74AUP1G34提供低功耗、低电压单路缓冲器。
所有输入的施密特触发器动作使电路在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。
该器件可确保在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内具有极低的静态和动态功耗。
该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出,从而防止掉电时电流回流对器件造成的损坏。
产品特性和优势
- 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
- 高抗噪性
- 符合JEDEC标准:
- JESD8-12(0.8 V至1.3 V)
- JESD8-11(0.9 V至1.65 V)
- JESD8-7(1.2 V至1.95 V)
- JESD8-5(1.8 V至2.7 V)
- JESD8-B(2.7 V至3.6 V)
- ESD保护:
- HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
- MM JESD22-A115-A超过200 V
- CDM JESD22-C101E超过1000 V
- 低静态功耗;ICC = 0.9 μA(最大值)
- 根据JESD 78 II类,锁存性能超过100 mA
- 输入接受高达3.6 V的电压
- 低噪声过冲和欠冲<VCC的10 %
- IOFF电路提供部分掉电模式操作
- 多个封装选项
- 指定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C
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