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NXP产品 - BLP8G05S-200G介绍

BLP8G05S-200G - Power LDMOS transistor

BLP8G05S-200G是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品，BLP8G05S-200G是Power LDMOS transistor，本站介绍了BLP8G05S-200G的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与BLP8G05S-200G相关的NXP元器件型号供参考。

BLP8G05S-200G - Power LDMOS transistor - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦

产品描述

200 W LDMOS power transistor for base stations applications at frequencies from 400 MHzto 500 MHz.

产品特性和优势
  • High efficiency
  • Excellent ruggedness
  • Excellent thermal stability
  • Integrated ESD protection
  • Easy power control
  • Designed for ISM operation (400 MHz to 500 MHz)
  • Input integration for simple board design
  • Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances(RoHS)
产品应用
  • RF power amplifiers for W-CDMA base stations and multi carrier applications in the 400 MHz to 500MHz frequency range
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