74AUP1G386提供一个3输入异或门。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V的VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 uA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74AUP2GU04GS - 低功耗双路非缓冲反相器
• BLF8G27LS-100 - LDMOS功率晶体管
• CLF1G0060(S)-30 - 宽带RF功率GaN HEMT
• UBA2024AT - 用于CFL灯的半桥功率IC
• 74LVC3G14DC - 三路反相施密特触发器，带5 V容压输入
• 74AHCT573BQ - 八进制D型透明锁存器；3态
• BZT52H-B62 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• BAS21AVD - 高压开关二极管
• BAV23C - 两个高压开关二极管
• 74AUP3G3404GM - 低功耗双路缓冲器和单路反相器