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74AUP1G14GS产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- TEF6624T/V1,512 - 射频和无线 > 射频接收器
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- SSTU32866EC,518 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 专用逻辑器件
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- MPC8548EHXAQG - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MCF5485CZP200 - 嵌入式 - 微控制器
- AFV141KHSR5 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- S912XET256BVAGR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PHP21N06T,127 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 2N3906,116 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
- BFG480W,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
- BB171X - 分立半导体产品 > 二极管 > 可变电容(变容器,可变电抗器)
- MC32PF4210A2ESR2 - 电源管理IC - 电源管理 - 专用型



74AUP1G14GS - 低功耗施密特触发反相器
74AUP1G14GS是NXP恩智浦公司的一款缓冲器/驱动器产品,74AUP1G14GS是低功耗施密特触发反相器,本站介绍了74AUP1G14GS的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与74AUP1G14GS相关的NXP元器件型号供参考。
74AUP1G14GS - 低功耗施密特触发反相器 - 缓冲器/驱动器 - 逻辑 - 恩智浦
产品描述
74AUP1G14提供可接受标准输入信号的单路反相施密特触发器。其能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。
该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。
该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出,防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。
输入针对正向和负向信号在不同点进行切换。正电压VT+和负电压VT-之差定义为输入迟滞电压VH.
产品特性和优势
- 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
- 高抗噪性
- ESD保护:
- HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
- MM JESD22-A115-A超过200 V
- CDM JESD22-C101E超过1000 V
- 低静态功耗;ICC = 0.9 μA(最大)
- 闭锁性能超过100 mA,符合JESD 78 II类标准
- 输入可接受高达3.6 V的电压
- 低噪声过冲和欠冲,小于VCC的10 %
- IOFF电路提供局部掉电模式操作
- 多种封装选择
- 额定温度范围为?40 °C至+85 °C和?40 °C至+125 °C
产品应用
- 波形和脉冲整形器
- 无稳态多谐振荡器
- 单稳态多谐振荡器
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