74AUP1G14提供可接受标准输入信号的单路反相施密特触发器。其能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

输入针对正向和负向信号在不同点进行切换。正电压VT+和负电压VT-之差定义为输入迟滞电压VH.

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为?40 °C至+85 °C和?40 °C至+125 °C

• 波形和脉冲整形器
• 无稳态多谐振荡器
• 单稳态多谐振荡器

• 74AUP3G3404GT - 低功耗双路缓冲器和单路反相器
• PMDXB600UNE - 20 V，双N沟道Trench MOSFET
• PCA9671BS - 带有复位的Fm+ I2C总线远程16位I/O扩展器
• BSR31 - 60 V，1 A PNP中等功率晶体管
• PDTC143XM - NPN配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 10 kΩ
• 74AUP3G0434DC - 低功耗双路反相器和单路缓冲器
• 74HC259DB - 8位可寻址锁存器
• NTS0101GF - 双电源转换收发器；开漏；自动方向感应
• BLF2425M7L250P - 功率LDMOS晶体管
• BZB784-C6V2 - 双倍稳压器二极管