74AUP1G0832提供布尔函数：Y = (A × B) + C。用户可以选择逻辑功能OR、AND和AND-OR。所有输入都可连接到VCC或GND。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PBSS4230T - 30 V、2 A NPN、低VCEsat (BISS)晶体管
• 74LVC157A - 四路2输入多路复用器
• 74LVC1G384GF - 双向开关
• BZX585-C2V4 - 稳压器二极管
• NPIC6C595PW - 功率逻辑8位移位寄存器；开漏输出
• 74LVC1G125GV - 总线缓冲器/线路驱动器；3态
• PZU6.2B2A - 单倍齐纳二极管
• 74ABT16240A - 16位反相缓冲器/线路驱动器；3态
• PUMD2 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1?=?22?kΩ，R2?=?22?kΩ
• PMV27UPE - 20 V，P沟道Trench MOSFET