74AUP1G14提供可接受标准输入信号的单路反相施密特触发器。其能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

输入针对正向和负向信号在不同点进行切换。正电压VT+和负电压VT-之差定义为输入迟滞电压VH.

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为?40 °C至+85 °C和?40 °C至+125 °C

• 波形和脉冲整形器
• 无稳态多谐振荡器
• 单稳态多谐振荡器

• PMEG3010BEV - 1 A、极低VF MEGA肖特基势垒整流器，采用超小型SOT666和极小型SOD323 (SC-76)两种封装
• MF1PLUS8031DUD - 适用于快速简单的解决方案开发的主流非接触式智能卡IC
• 74LVC16373ADGG - 16位D型透明锁存器，具有5 V容压输入/输出；3态
• BAS21AVD - 高压开关二极管
• BB156 - 低压变容二极管
• IP4221CZ6-XS - 用于高速接口的ESD保护
• BLL6H0514-25 - LDMOS驱动器晶体管
• 74LVC2G06 - 反相器，带开漏输出
• 74LVC2G17GS - 双路非反相施密特触发器，带5 V容压输入
• BF556A - N沟道FET