74LVC2G04提供双路反相缓冲器。

输入可从3.3 V器件或5 V器件驱动。这些特性允许在3.3 V和5 V混合电压环境中使用这些器件。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成损坏。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 与5 V逻辑器件连接的5 V容压输入
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动（VCC = 3.0 V）
• CMOS低功耗
• 锁存性能超过250 mA
• 直接与TTL电平接合
• 输入接受高达5 V的电压
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PMV37EN2 - 30 V，N沟道Trench MOSFET
• BZA900A-series - 四倍ESD瞬态电压抑制器
• PUMH9 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 10?kΩ，R2 = 47?kΩ
• BAS20 - 通用二极管
• 74AXP2G14GS - 低功耗双路施密特触发反相器
• PSMNR90-30BL - N沟道30 V 1.0 m?逻辑电平MOSFET，采用D2PAK封装
• BSP51 - NPN达林顿晶体管
• 74LVT244AD - 3.3 V八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• 74LVC245APW - 八进制总线收发器；3态
• 74LVT2245D - 3.3 V八进制收发器，具有30 Ohm端接电阻；3态