HEF4104B是带3态输出的四路低压至高压转换器。该器件提供将低压电路连接到高压电路的功能。例如，低压局部氧化互补型MOS (LOCMOS)和晶体管 - 晶体管逻辑(TTL)到高压LOCMOS。它具有四个数据输入（A0至A3）、一个高电平有效输出使能输入(OE)、四个数据输出（B0至B3）及其补充输出（B0至B3）。

OE为高电平时，输出B0至B3和B0至B3处于低阻抗导通状态，高电平或低电平由输入A0至A3确定。OE为低电平时，输出B0至B3和B0至B3处于低阻抗关断状态。

其针对输入(VDD(A))和输出(VDD(B))采用常见的负电源(VSS)和单独的正电源。VDD(A)必须始终小于或等于VDD(B)，甚至在电源导通和关断期间。

每个输入保护电路在VDD(B)和VSS之间终止。因此，输入信号可以从VDD(B)与VSS之间的任何电势驱动，而无论电流限制如何。从大于VDD(B)或小于VSS的电势驱动时，每个输入的电流必须限制为10 mA。

其工作电压为建议的3 V至15 V的VDD电源电压，以VSS（通常为地）为参考。未使用的输入必须连接到VDD、VSS或另一个输入。

• 全静态操作
• 5 V、10 V和15 V参数额定值
• 标准化对称输出特性
• 输入和输出受保护，不受静电效应影响
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C
• 符合JEDEC标准JESD 13-B

• PMPB15XP - 12 V，单P沟道Trench MOSFET
• 74HCT4053PW - 三路2通道模拟多路复用器/解复用器
• BUK7907-40ATC - N沟道TrenchPLUS标准电平FET
• PCF8583T - 带240 x 8位RAM的时钟和日历
• PDTD123TT - NPN 500 mA、50 V配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 开路
• 74VHC595D - 8位串行输入/串行输出或并行输出移位寄存器，带输出锁存器
• 74HC14PW - 十六进制反相施密特触发器
• BZX585-B56 - 稳压器二极管
• 74ALVC16835 - 18位寄存驱动器（3态）
• BLF10M6(LS)135 - 功率LDMOS晶体管